شکایت از سامسونگ به دلیل نقض پتنت مرتبط با فناوری FinFET

354820

سامسونگ در تلاش است با استفاده از فناوری ۱۰ نانومتری FinFET، پردازنده‌ی گلکسی اس ۸ را آماده کند؛ اما ممکن است در این راه به مشکل بر بخورد.

سامسونگ تلاشی شبانه‌روزی برای تولید پردازنده‌ی گلکسی اس ۸ با فناوری ۱۰ نانومتری FinFET انجام می‌دهد؛ اما خبرهای جدید از کره‌ی جنوبی، حاکی از مانعی در این راه به نام نقض پتنت است.

بنا بر گزارش کره هرالد، شرکت KAIST که در آمریکا قرار دارد، از سامسونگ بابت پتنت مرتبط با FinFET شکایت کرده است. این شرکت مدعی شد سامسونگ این پتنت را دزدیده است. این دزدی از دید KAIST زمانی رخ داد که توسعه‌دهنده‌ی FinFET در جلسه‌ای جزئیات فناوری را به مهندسان سامسونگ توضیح داده است تا زمینه‌ساز همکاری KAIST و سامسونگ شود. اینتل از FinFET استفاده می‌کند و لیسانس‌های آن را از KAIST خریداری کرده است؛ اما سامسونگ این کار را انجام نداده است.

البته سامسونگ در این پرونده تنها نیست. KAIST از کوالکام و همچنین Global Foundries که لیسانس‌های خود را از سامسونگ خریداری کردند، شکایت کرده است. همچنین این شرکت اعلام کرد به‌زودی با جمع‌آوری شواهد، به سراغ TSMC نیز خواهد رفت.

برچسب ها: FinFET, galaxy s8, Global Foundries, KAIST, samsung, پتنت, سامسونگ, شکایت از سامسونگ, فناوری, گلکسی اس 8,

« تبلیغات »

« تبلیغات »

پاسخ دهید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد.

کد امنیتی *